サポートnba 예측 사이트FAQnba 예측 사이트C63LVDF(R)84Bとnba 예측 사이트C63LVDF(R)84Cの互換性
電気的特性LVDS
nba 예측 사이트C63LVDF(R)84Bとnba 예측 사이트C63LVDF(R)84Cはピンコンパチブルですが、下記の点で異なります。
nba 예측 사이트C63LVDF(R)84B nba 예측 사이트C63LVDF(R)84C
動作周囲温度 -10 - 70℃ -40 - 85℃
動作電圧 2.5 - 3.6V 3.0 - 3.6V
動作周波数 15 - 85MHz 8 - 112MHz
消費電流
Gray snba 예측 사이트le pattern時 Typ. 41mA Typ. 55mA
Warst nba 예측 사이트se pattern時 Typ. 72mA Typ. 90mA
パワーダウン時 Max. 10uA Max. 500uA
LVCMOS出力
CLKOUTドライブ能力 4mA 8mA
CLKOUT Duty ”H”時間(ns) Typ. 4*T/7 Typ. T/2
CLKOUT Duty "L"時間(ns) Typ. 3*T/7 Typ. T/2
データセットアップ時間(ns) Min. 0.35*T-0.3 Min. 4*T/7-1
データホールド時間(ns) Min. 0.45*T-1.6 Min. 3*T/7-1
入出力遅延時間(ns) Typ. 5T/7 Typ. (3/14+3)*T
LVDS 入力におけるクロック・データ間のスキュー許容時間(tSK)については前提となる
動作周波数が異なるため、データシートに記載された値が異なります。
ただし動作周波数85MHzにおける入力スキュー許容時間は共に±0.4nsで同等です。
nba 예측 사이트C63LVDF(R)84Bからnba 예측 사이트C63LVDF(R)84Cへ置き換えは殆どの場合問題ありませんが、
nba 예측 사이트C63LVDF(R)84CではLVCMOS出力のドライブ能力が向上しているため不要輻射が増加
する場合がありますのでご注意ください。
nba 예측 사이트C63LVDF(R)84B nba 예측 사이트C63LVDF(R)84C
動作周囲温度 -10 - 70℃ -40 - 85℃
動作電圧 2.5 - 3.6V 3.0 - 3.6V
動作周波数 15 - 85MHz 8 - 112MHz
消費電流
Gray snba 예측 사이트le pattern時 Typ. 41mA Typ. 55mA
Warst nba 예측 사이트se pattern時 Typ. 72mA Typ. 90mA
パワーダウン時 Max. 10uA Max. 500uA
LVCMOS出力
CLKOUTドライブ能力 4mA 8mA
CLKOUT Duty ”H”時間(ns) Typ. 4*T/7 Typ. T/2
CLKOUT Duty "L"時間(ns) Typ. 3*T/7 Typ. T/2
データセットアップ時間(ns) Min. 0.35*T-0.3 Min. 4*T/7-1
データホールド時間(ns) Min. 0.45*T-1.6 Min. 3*T/7-1
入出力遅延時間(ns) Typ. 5T/7 Typ. (3/14+3)*T
LVDS 入力におけるクロック・データ間のスキュー許容時間(tSK)については前提となる
動作周波数が異なるため、データシートに記載された値が異なります。
ただし動作周波数85MHzにおける入力スキュー許容時間は共に±0.4nsで同等です。
nba 예측 사이트C63LVDF(R)84Bからnba 예측 사이트C63LVDF(R)84Cへ置き換えは殆どの場合問題ありませんが、
nba 예측 사이트C63LVDF(R)84CではLVCMOS出力のドライブ能力が向上しているため不要輻射が増加
する場合がありますのでご注意ください。
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